AS4C32M16SA-7TCN
Alliance Memory, Inc.
Deutsch
Artikelnummer: | AS4C32M16SA-7TCN |
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Hersteller / Marke: | Alliance Memory, Inc. |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 2ns |
Spannungsversorgung | 3V ~ 3.6V |
Technologie | SDRAM |
Supplier Device-Gehäuse | 54-TSOP II |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 512Mbit |
Speicherorganisation | 32M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 143 MHz |
Grundproduktnummer | AS4C2M32 |
Zugriffszeit | 5.4 ns |
AS4C32M16SA-7TCN Einzelheiten PDF [English] | AS4C32M16SA-7TCN PDF - EN.pdf |
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54BGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54BGA
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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